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September 16, 2025

Lam Research 与 JSR/Inpria 签署交叉许可与协作协议以推进半导体制造

Author: Lam Research Corporation; JSR Corporation

Lam Research 与 JSR/Inpria 签署交叉许可与协作协议以推进半导体制造

全球竞争在生产先进半导体领域已进入新阶段,Lam Research Corporation 与 JSR Corporation,以及其 Inpria 单位,宣布了一项旨在加速半导体制造的交叉许可与协作协议。该安排围绕对前沿芯片的图案化展开,包括围绕干式抗蚀剂EUV光刻与下一代材料的努力。公告将这一伙伴关系定位为设备、化学品与材料之间的战略桥梁——力求在知识产权所有者与被许可人之间减少摩擦,同时加速从实验室概念到大规模生产的转变。在需求不断攀升、供应链脆弱性增强、工艺复杂性日益增加的市场环境中,能够在不进行冗长许可谈判的情况下访问关键工艺技术,可能成为追求高密度节点的芯片制造商的重要差异化因素。Lam Research 提供用于前沿图案化的核心制造工具,而 JSR 与 Inpria 则贡献专业材料平台,旨在在特征控制更严格、在EUV曝光下表现更稳健方面提供支持。该联合计划的核心,本质是一种对速度、可预测性和规模的赌注:以更少的阻碍和更可靠的合格路径,将创新从实验台推向工厂。

置于更广阔的光刻格局中,该协议承认图案化是历史上限制向更小晶体管推进速度的复杂瓶颈。现代芯片需要多轮沉积、曝光和刻蚀,特征尺寸要求既需要先进的光学系统,也需要高度定制的材料。干式抗蚀剂EUV光刻已成为一个重要焦点,因为它有望与下一代光源集成,同时在高产量环境中有可能减少溶剂使用量和工艺变动。该合作的范围还强调下一代材料——如金属氧化物抗蚀剂及其他先进化学品——能够提供更高分辨率、更高灵敏度及更好的缺陷控制。Lam 与 JSR/Inpria 共同在现实工艺条件下测试和改进这些组件,弥合概念与可制造性之间的差距。通过将光刻堆栈上的知识产权耦合,这些公司旨在降低引入新材料与工艺流程时通常伴随的不确定性,提供在不同晶圆厂与客户之间更可靠的性能。

Lam Research 与 JSR/Inpria 合作,加速前沿半导体的高级图案化。

Lam Research 与 JSR/Inpria 合作,加速前沿半导体的高级图案化。

该安排的基石是一套交叉许可框架,旨在在光刻链中的知识产权保持一致。通过相互获得对重要专利和技术诀窍的访问,合作伙伴关系旨在缩短开发周期,减少按项目逐一许可谈判的需要。这种知识产权对齐在创新节奏以月计、而非以年计的行业中特别有价值;晶圆厂必须持续对新工艺流程进行资格认证以保持竞争力。实际操作中,交叉许可可以通过实现并行测试、加快反馈循环和更可预测的路线图,来加速对工艺概念的联合验证—例如 Lam 的沉积与刻蚀工具的整合方案以及 JSR/Inpria 的抗蚀剂化学品。尽管知识产权共享可能涉及治理、保密性与竞争动态等问题,但其战略逻辑非常直接:降低获取关键IP成为实现概念到工厂就绪生产路径上的门槛的风险。

在技术层面,该合作强调两个相互关联的焦点领域:干式抗蚀剂EUV光刻和下一代材料。干式抗蚀剂方法被视为简化光刻工艺的潜在路径,能够避免传统抗蚀剂沉积中涉及的一些溶剂使用和工艺变动。当EUV成像在更深紫外波长和更高数值孔径的驱动下继续进步,新型抗蚀剂与Lam 的工具兼容性变得越来越重要。与此同时,Inpria 的金属氧化物及相关的先进材料堆叠的发展,带来更清晰的图案、降低的边缘粗糙度,以及在剂量和温度变化下更稳健的性能。联合计划很可能将探索曝光策略、曝光后烘烤和刻蚀兼容性的协同优化,以最大化图案保真度。如果成功,该联盟可能缩短从实验室演示到生产资格的时间,帮助客户在更少的集成意外下实现更小节点的优势。

从客户角度来看——半导体制造商和晶圆代工厂——这项交叉许可协议可能转化为更快的资格认证周期、提高良率,以及对先进工艺流程更具预测性的成本。该生态系统从减少的知识产权摩擦中受益,使更多的供应商能够参与下一代图案化解决方案的开发与部署。一个多元化、更加易于获得的知识产权格局也可以增强对供应中断的韧性,这在全球需求激增和影响材料供应的地缘政治紧张局势日益严重的背景下变得越来越重要。合作的影响将取决于知识产权条款的结构、为维持公平获取和竞争平衡而设立的治理机制,以及 Lam 与 JSR/Inpria 将联合研究转化为可重复的制造成功的能力。对于权衡投资下一代工具和材料的芯片厂商而言,从设计到工厂的可信、协调良好的路径,可能成为在选择供应商和伙伴时的决定性因素。

展望未来,Lam–JSR/Inpria 的合作传达了半导体制造业向更具整合性、接近生态系统范式的模型转变的信号。此举映射出设备供应商与材料开发商之间更紧密的对齐趋势,随着晶圆厂追求对工艺窗口与良率的越来越严格的控制。若双方证明其交叉许可能够解锁实质性的性能提升——例如在更低缺陷率下实现更高分辨率、实现更稳定的工艺窗口以及更好地与未来的EUV源兼容——该计划可能成为横跨光刻堆栈的类似联盟的模板。接下来的步骤可能包括分阶段的工作计划、联合资格认证活动,以及确保透明里程碑和公平获取的治理结构。结果可能影响芯片厂商获取和验证关键工艺步骤的方式,甚至影响对抗蚀剂材料的定价动态以及光刻工具的采购策略。尽管知识产权条款的具体细节尚未披露,战略逻辑很清晰:通过在一个协调的协作框架中编织设备、材料与知识产权,行业将获得更具韧性、能力更强、速度更快的通往未来高端芯片的路径。

归根结底,这一交叉许可与协作的意义超越单一新闻稿。它反映了半导体生态系统的更广泛成熟——人们认识到,器件性能的突破不仅需要对单独组件的渐进改进,还需要一种将设计、材料科学与制造运营统一起来的综合方法。如果 Lam 的设备能力能够与 JSR/Inpria 的下一代材料搭配,在图案保真度和缺陷控制方面带来明显的改进,那么行业可能在技术转型的节奏上看到切实的加速。治理——明确的里程碑、透明的评估指标和共同承诺——对于确保双方从联盟中获得持久价值至关重要。目前,这一宣布标志着光刻领域持续演进中的一个显著时刻——在这里,渐进式的进步累积成对世界最先进半导体器件的真实世界优势。